Contribuția la epitaxia nitrurilor de aluminiu și bor prin depunerea chimică a vaporilor la
Contribuția la epitaxia nitrurilor de aluminiu și bor prin depunerea chimică a vaporilor la temperatură ridicată Nicolas Coudurier Pentru a cita această versiune: Nicolas Coudurier. Contribuția la epitaxia nitrurilor de aluminiu și bor prin depunerea chimică a vaporilor la temperatură ridicată. Materiale. Universitatea din Grenoble, 2014. franceză. . HAL Id: tel-00994936 https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00994936 Depus la 22 mai 2014 HAL este o arhivă multidisciplinară cu acces deschis pentru depunerea și diseminarea documentelor de cercetare științifică, indiferent dacă acestea sunt publicate sau nu. Documentele pot proveni de la instituții de predare și cercetare din Franța sau din străinătate sau de la centre de cercetare publice sau private. Arhiva deschisă multidisciplinară HAL este destinată depunerii și diseminării documentelor științifice la nivel de cercetare, publicate sau nu, de la instituții de învățământ și cercetare franceze sau străine, laboratoare publice sau private.
TEZĂ Pentru a obține gradul de DOCTOR DE LA UNIVERSITATEA GRENOBLE Specialitate: Materiale, Mecanică, Inginerie civilă, Electrochimie Decret ministerial: 7 august 2006 Prezentat de Nicolas COUDURIER Teza îndrumată de Michel PONS și codirecționată de Raphaël BOICHOT pregătită în cadrul Laboratorului SIMaP în Școala Doctorală „I-MEP²,„ Ingineria materialelor, mecanică, mediu, energetică, proces, producție ”Contribuție la epitaxia nitrurilor de aluminiu și bor prin depunerea chimică a vaporilor la temperatură ridicată. compusă din: dna Elisabeth BLANQUET Director de cercetare la SIMaP Grenoble, președinte Dl Gabriel FERRO Director de cercetare la LMI Lyon, Reporter Dna Anne HENRY Profesor la Linköping Institute of Technology (Suedia), Reporter Dl Francis MAURY Director de cercetare la CIRIMAT Toulouse, Examinator Dl Raphaël BOICHOT Lector la Grenoble INP, Co-supraveghetor Dl Michel PONS Director re cercetare la SIMaP Grenoble, director teză dl Vincent FELLMANN inginer, ACERDE, examinator dl Didier PIQUE inginer, SPADE, examinator
În cele din urmă, mulțumesc foștilor doctoranzi și post-doctoranzi ai laboratorului, Vincent, Clément, Jean Jean, Claire, Coralie, Audrey și Thibaut pentru facilitarea integrării mele la sosirea mea la laborator. Sper că nu am sau pe nimeni în această listă de mulțumiri. Acești trei ani la oratoriul SIMaP au fost fantastici și îmbogățitori din punct de vedere personal și profesional. Sper că doctoranzii noștri vor beneficia în continuare de condițiile de muncă, de bun venit și de sprijinul pe care l-am experimentat la grupul TOP. 3 P a g e
5.1.3. Relația dintre suprasaturare în timpul creșterii, ritmului de creștere și temperatură. 135 5.2. Caz de creștere a BN. 139 5.2.1. Alegerea substratului. 139 5.3. Comparația creșterilor de AlN și BN. 139 5.4. Bibliografie capitolul V. 140 Concluzii. 143 7 P a g e s
Cuprins 8 P a g e s
se expune morfologia și calitatea cristalină a straturilor formate. Adăugarea unei etape intermediare de creștere este, de asemenea, dezvoltată în această parte. Capitolul IV acoperă rezultatele creșterii BN. Procesul a fost optimizat prin studierea parametrilor raportului dintre debitele precursorilor și temperatura. Sunt prezentate și teste de creștere pe un substrat metalic. În cele din urmă, capitolul V rezumă rezultatele experimentale și termodinamice obținute pe cele două sisteme studiate. O explicație detaliată a mecanismelor de creștere oferă o mai bună înțelegere a influenței raportului N/Al asupra stării straturilor de AlN o. Înțelegerea efectelor diferitelor etape ale creșterii ajută la explicarea rezultatelor din capitolul III privind creșterea AlN. Se dezvoltă, de asemenea, influența su stratului asupra creșterii BN. În cele din urmă, se efectuează o comparație între rata de creștere, suprasaturarea fazei gazoase, temperatura și starea cristalină a straturilor formate. 11 P a g e s